MLC（多層單元）和TLC（三層級單元）是兩種不同的閃存技術(shù)，它們在容量、價格和性能方面有所不同，MLC通常提供較高的存儲密度和較低的每GB成本，但速度和耐用性可能不如TLC，TLC則提供更高的速度和耐用性，但成本較高且存儲密度較低，選擇哪種技術(shù)取決于您的具體需求，例如存儲密度、成本預(yù)算和性能要求，如果您的預(yù)算有限...